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寄生电容耦合到电源:怎样制止传导EMI题目-金沙js8-澳门jin2015金沙娱乐

2016-08-26

【导读】电磁滋扰EMI中电子设备发生的滋扰旌旗灯号是经由过程导线或大众电源线停止传输,相互发生滋扰称为传导滋扰。传导滋扰给很多电子工程师带来疑心,怎样处理传导滋扰?这里,我们先偏重议论当寄生电容间接耦合到电源输入电线时会发作的状况。


1.只需几fF的纯散电容便会致使EMI扫描失利。从本质上讲,开关电源具有供应下dV/dt的节点。寄生电容取下dV/dt的混淆会发生EMI题目。正在寄生电容的另外一端衔接至电源输入端时,会有少许电流间接泵送至电源线。  

2.检察电源中的寄生电容。我们皆记得物理课上讲过,两个导体之间的电容取导体表面积成反比,取二者之间的间隔成反比。检察电路中的每一个节点, 并稀奇注重具有下dV/dt的节点。想一想电路结构中该节点的表面积是多少,节点间隔电路板输入线路有多远。开关MOSFET的漏极懈弛冲电路是常见的罪魁祸首。  

3.减小外面面积有技能。试着只管运用外面揭装封装。接纳曲立式TO-220封装的FET具有极大的漏极选项卡(drain tab)外面面积,惋惜的是它一般恰巧是具有最高dV/dt的节点。实验运用外面揭装DPAK或D2PAK FET庖代。正在DPAK选项卡上面的低层PCB上安顿一个低级接地面板,便可优越遮盖FET的底部,从而可明显削减寄生电容。  

有时候外面面积需求用于散热。若是您必需运用带散热片的TO-220类FET,实验将散热片衔接至低级接地(而不是大地接地)。如许不只有助于遮盖FET,并且借有助于削减纯散电容。  

4.闪开关节点取输入衔接之间拉开间隔。见图1中的设想实例,个中我无视了这个简朴原则。

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图1.让输入布线取具有下 dV/dt 的节点靠得太近会增添传导 EMI。

  

我经由过程简朴调解电路板(无电路转变),将噪声低落了约莫6dB。见图2和图3的丈量效果。正在有些状况下,靠近下dV/dt停止输入线路布线以至还可击坏共模线圈(CMC)。-金沙9159登陆-澳門金沙娱乐场

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图2.从电路板结构停止 EMI 扫描,个中 AC 输入取开关电路间隔较近


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图3.从电路板结构停止 EMI 扫描,个中 AC 输入取开关电路之间间隔较大


您是不是有过正在明显增强输入滤波器后 EMI 改进结果很小以至没有改进的这类遭受?那很有可能是由于有一些来自某个下dV/dt节点的纯散电容间接耦合到输入线路,有用绕过了您的CMC。为了检测这种情况,可暂时短路PCB上CMC的绕组,并将一个二级CMC取电路板的输入电线串连。若是有显着改进,您需求从新结构电路板,并分外注重输入衔接的结构取布线。  

如今,我们来看看共模EMI题目的最常见泉源:电源变压器。  

该题目由一次绕组和二次绕组间的寄生电容和一次绕组的下dV/dt引发。这个绕组间的电容可起到充电泵的感化,致使杂散电流流到一般衔接至接地的二次侧。这里有四个可最大限度削减该题目的常见技能。  

1.停止一次绕组,使最高dV/dt泛起正在外层上。电压电势会随每一个匝数转变。比方正在反激拓扑中,最大的电压摆幅泛起正在衔接FET漏极的一端(见图1)。让“静音”层邻近近来的二次层,可最大限度天低落正在全部绕组间电容上泛起的dV/dt。接纳这类手艺,应当明白内部绕组能够已成了有题目的噪声源,其可能会耦合至变压器四周的别的目的。内部绕组四周能够需求一个屏障绕组。  

2.正在一次绕组和二次绕组之间运用一个屏障绕组。插入一个一端衔接至输入或输入返回端的单层绕组,可使杂散电流脱离二次绕组并返回至泉源。这类手艺的价值是稍微增添了变压器的设想复杂性,并增添了泄电感。  -金沙js8

3.正在一次接地到二次接地之间运用一个“Y电容器”。该电容器可为纯散电流供应一个回到一次接地的较低阻抗途径。电源中的那条当地途径可防止这些电流找到别的一条经由过程接地回到泉源的途径。然则,关于能运用多大的电容,这里有肯定平安限定。  

4.增加一个共模线圈。有时候所提到的别的手艺不足以将EMI低落到所需程度之下。增加一个共模线圈,不只可增加共模阻抗,并且借对低落传导噪声异常有用。但如许会发生附加组件本钱。正在挑选共模线圈时,要注重搜检相 关于频次的阻抗曲线。正在某种状况下,一切线圈都邑果其本身的绕组间电容题目而转变成电容性。

转载自电子元件手艺网